TH2690碳化硅材料高阻值測(cè)試報(bào)告
本次測(cè)試旨在對(duì)碳化硅材料進(jìn)行高阻值及漏電流性能評(píng)估,測(cè)試儀器采用TH2690高阻計(jì),測(cè)試環(huán)境為圖靈實(shí)驗(yàn)室,測(cè)試時(shí)環(huán)境溫度為25.5C,相對(duì)濕度為60%,環(huán)境條件
EMI原理及測(cè)試
一、EMI測(cè)試原理首先提一個(gè)問題,什么是EMI測(cè)試?很多人會(huì)問道,為什么要對(duì)電子設(shè)備進(jìn)行EMI測(cè)試,這就涉及到了這篇文章的重點(diǎn):EMI的原理及測(cè)試方法。EMI(
泰克MSO64B示波器信號(hào)源脈沖性能驗(yàn)證
西安某大學(xué)某電子學(xué)院,客戶打算進(jìn)行高精度的ADC研發(fā)和測(cè)試。這次我們的技術(shù)工程師帶上了高性能的任意波形發(fā)生器AT-7174產(chǎn)生了300ps窄脈沖,使用泰克MSO
同惠TH2838A在新型半導(dǎo)體與晶體管絕
在半導(dǎo)體技術(shù)持續(xù)演進(jìn)的當(dāng)下,二維(2D)層狀半導(dǎo)體憑借原子級(jí)厚度帶來的卓越柵場(chǎng)穿透特性,成為未來晶體管通道材料的關(guān)鍵候選者。對(duì)這類新材料的參數(shù)精準(zhǔn)測(cè)定,是推動(dòng)其















































































































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