TH2690碳化硅材料高阻值測試報告

本次測試旨在對碳化硅材料進行高阻值及漏電流性能評估，測試儀器采用TH2690高阻計，測試環境為圖靈實驗室，測試時環境溫度為25.5°C，相對濕度為60%，環境條件穩定，符合電子材料測試標準要求，確保測試數據的準確性與可重復性。

測試時的環境條件和地點

Environment Condition and site at Verification

被測件為碳化硅（SiC）材料，該材料因其寬禁帶特性，廣泛應用于高功率、高溫、高頻電子器件中，其絕緣性能和漏電流控制是影響器件可靠性的關鍵參數。因此，開展高電壓條件下的阻值與漏電流測試具有重要意義。

一、外觀檢測

測試前對碳化硅材料進行外觀檢查，結果顯示材料表面無裂紋、無污染、電極接觸良好，外觀狀態良好，滿足測試要求。

二、產品阻值測試

測試電壓范圍設定為300V至900V，分別在300V、500V和900V條件下進行阻值測量，結果如下：

在300V電壓下，測得阻值為31.735GΩ；

在500V電壓下，阻值為27.028GΩ；

在900V電壓下，阻值為25.317GΩ。

測試數據顯示，隨著測試電壓升高，測得的絕緣阻值呈下降趨勢。該現象符合高阻材料在高電場下的非線性導電特性，可能與材料內部微弱的載流子激發或界面效應有關，但整體阻值仍維持在GΩ級別，表明該碳化硅材料具有優異的絕緣性能。

三、產品漏電流測試

在相同電壓條件下進行漏電流測試，結果如下：

300V時，漏電流為0.0094μA；

500V時，漏電流為0.0018μA；

900V時，漏電流上升至0.0355μA。

值得注意的是，500V時漏電流出現異常降低，可能與測試接觸狀態、儀器瞬態響應或材料極化效應有關，建議重復測試以確認數據穩定性。總體來看，漏電流均處于極低水平，符合高質量碳化硅材料的預期表現。

四、測試結論

在300V~900V測試電壓范圍內，該碳化硅材料表現出良好的高阻特性與低漏電流水平，雖存在電壓依賴性，但性能穩定，滿足高可靠性電子材料的應用需求。建議在實際應用中結合器件工作電壓進行進一步的老化與溫濕度應力測試，以全面評估其長期穩定性。

測試現場已拍攝各電壓條件下的測試畫面，作為原始數據存檔。本次測試操作規范，數據真實有效，為后續材料選型與器件設計提供了可靠依據。