同惠TH530系列半導體器件雪崩能量測試儀

在半導體技術飛速發展的當下，半導體器件的性能與可靠性成為眾多行業應用的關鍵支撐，從消費電子到新能源汽車，從工業控制到航空航天，無一不依賴高性能半導體器件的穩定運行。

半導體器件在實際應用中，常常會遭遇各種極端工況，如電路短路、電壓突變、負載突變等，這些情況可能引發器件內部的雪崩擊穿現象。

TH530系列雪崩測試儀能夠精準模擬這些極端工況，對器件的雪崩能量耐受能力進行全面測試。通過測試，可以篩選出雪崩擊穿下能穩定工作的器件，確保可靠性，減少系統故障，提升電子系統穩定性和安全性。

A.高精度數據采集

TH530系列具備高精度的電流與電壓波形捕捉及提取能力，同時能夠精準捕捉雪崩持續時間。該設備可針對雪崩電壓最高達2500V、峰值電流為200A等級的半導體器件開展測試工作。

TH530系列可將波形保存到測試結果文件中，在顯示屏幕上用戶最多可查看最近四次的波形數據。

為便于用戶查看，測試儀默認同時顯示電壓電流波形，用戶仍可觸摸“電壓”或“電流”來單獨查看對應波形。

B.單/雙通道測試模式

TH530系列具備單通道和雙通道兩種測試模式，能夠針對N型或P型半導體器件，以及N/P組合型器件展開全面測試，涵蓋的器件類型包括但不限于MOSFET、IGBT以及二極管等常見功率半導體器件。

通過靈活配置測試通道和參數，可精準評估不同類型器件的電氣特性與性能指標，為半導體器件的研發、生產和質量控制提供可靠的數據支持。

C.多器件兼容性

TH530系列是同惠電子針對半導體器件UIS（EAS）、EAR參數測量問題的解決方案。主要用于測量MOSFET、IGBT、Diode和雙極性器件（帶鉗位）的雪崩擊穿特性（電壓、能量等）。

通過給被測器件施加可控制的感性能量，判斷出被測器件是否能正常吸收和承受電感釋放的能量。經過雪崩測試的器件，就可安全地用于有反向電動勢的感性負載上。

D.泄漏測試：可選擇性啟用

每次雪崩測試前，在柵極電壓設置為0的情況下，用戶設置的泄漏電壓會被施加到被測件上，讀取電流檢測器測量值。

TH530系列可以在雪崩測試前、測試后或測試前后對被測件進行泄漏測試。這不是測量實際漏電電流，而是確定被測件或測試夾具中是否存在短路的簡單測試。 

TH530系列內部配備的漏電穩壓器，其電壓可調節范圍為2V—28V，用戶可依據被測試裝置雪崩測試所設定的漏極電壓值進行靈活設置。

在該測試過程中，當檢測到的漏電流超過1mA 時，系統將判定為出現漏電故障；同時，漏電流的最大允許值被限定為8mA。

E.雪崩測試原理

TH530系列配備TH530-01型可編程電感負載箱，它提供從 0.01mH 到159.9mH 的電感值。

當高速開關和被測件接通時，漏極電流增加，到達指定的比較點時，高速開關與被測件柵極同時關斷。關斷后由于電感中電流無法突變，因為續流二極管的存在，電流路徑得以維持，電感存儲的能量將泄放至被測件(以NMOS為例)上，致使被測件進入雪崩狀態，此時被測件DS兩端電壓即為雪崩電壓，而此時電感上被轉移的能量，可認為是NMOS的雪崩能量(EAS)。

半導體器件是現代電子技術基石，性能與可靠性影響電子系統穩定運行。TH530系列雪崩測試儀具備精準模擬極端工況的能力，可對半導體器件的雪崩能量耐受力展開全面測試，進而為企業篩選出性能穩定的器件提供有力支持。