吉時(shí)利源表在半導(dǎo)體分立器件 I-V特性測(cè)試方案

　　半導(dǎo)體分立器件是組成集成電路的基礎(chǔ)，包含大量的雙端口或三端口器件，如二極管，晶體管，場(chǎng)效應(yīng)管等。直流I-V測(cè)試則是表征微電子器件、工藝及材料特性的基石。通常使用I-V特性分析，或I-V曲線，來決定器件的基本參數(shù)。微電子器件種類繁多，引腳數(shù)量和待測(cè)參數(shù)各不相同，除此以外，新材料和新器件對(duì)測(cè)試設(shè)備提出了更高的要求，要求測(cè)試設(shè)備具備更高的低電流測(cè)試能力，且能夠支持各種功率范圍的器件。

　　分立器件I-V特性測(cè)試的主要目的是通過實(shí)驗(yàn)，幫助工程師提取半導(dǎo)體器件的基本I-V特性參數(shù)，并在整個(gè)工藝流程結(jié)束后評(píng)估器件的優(yōu)劣。

　　隨著器件幾何尺寸的減小，半導(dǎo)體器件特性測(cè)試對(duì)測(cè)試系統(tǒng)的要求越來越高。通常這些器件的接觸電極尺寸只有微米量級(jí)，這些對(duì)低噪聲源表，探針臺(tái)和顯微鏡性能都提出了更高的要求。

　　半導(dǎo)體分立器件I-V特性測(cè)試方案，泰克公司與合作伙伴使用泰克吉時(shí)利公司開發(fā)的高精度源測(cè)量單元(SMU)為核心測(cè)試設(shè)備，配備使用簡(jiǎn)便靈活，功能豐富的CycleStar測(cè)試軟件，及精準(zhǔn)穩(wěn)定的探針臺(tái)，為客戶提供了可靠易用的解決方案，極大的提高了用戶的工作效率。

　　I-V特性測(cè)試難點(diǎn)：

　　1、種類多

　　微電子器件種類繁多，引腳數(shù)量和待測(cè)參數(shù)各不相同，此外，新材料和新器件對(duì)測(cè)試設(shè)備提出了更高的要求，要求測(cè)試設(shè)備具備更高的低電流測(cè)試能力，且能夠支持各種功率范圍的器件。

　　2、尺寸小

　　隨著器件幾何尺寸的減小，半導(dǎo)體器件特性測(cè)試對(duì)測(cè)試系統(tǒng)的要求越來越高。通常這些器件的接觸電極尺寸只有微米量級(jí)，這些對(duì)低噪聲源表，探針臺(tái)和顯微鏡性能都提出了更高的要求。

　　I-V特性測(cè)試方案：

　　針對(duì)I-V 特性測(cè)試難點(diǎn)，安泰測(cè)試建議可采用keithley高精度源測(cè)量單元(SMU)為核心測(cè)試設(shè)備，配備使用簡(jiǎn)便靈活、功能豐富的 CycleStar 測(cè)試軟件，及精準(zhǔn)穩(wěn)定的探針臺(tái)。

　　吉時(shí)利方案特點(diǎn)：

　　豐富的內(nèi)置元器件庫，可以根據(jù)測(cè)試要求選擇所需要的待測(cè)件類型;

　　測(cè)試和計(jì)算過程由軟件自動(dòng)執(zhí)行，能夠顯示數(shù)據(jù)和曲線，節(jié)省了大量的時(shí)間;

　　精準(zhǔn)穩(wěn)定的探針臺(tái)，針座分辨率可高達(dá)0.7um，顯微鏡放大倍數(shù)最高可達(dá)x195倍;

　　最高支持同時(shí)操作兩臺(tái)吉時(shí)利源表，可以完成三端口器件測(cè)試。

　　測(cè)試功能：

　　二極管特性的測(cè)量與分析

　　極型晶體管BJT特性的測(cè)量與分析

　　MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管特性的測(cè)量與分析

　　MOS 器件的參數(shù)提取

　　系統(tǒng)結(jié)構(gòu)：

　　系統(tǒng)主要由一臺(tái)或兩臺(tái)源精密源測(cè)量單元(SMU)、夾具或探針臺(tái)、上位機(jī)軟件構(gòu)成。以三端口MOSFET 器件為例，共需要以下設(shè)備：

　　1、兩臺(tái)吉時(shí)利 2450 精密源測(cè)量單元

　　2、四根三同軸電纜

　　3、夾具或帶有三同軸接口的探針臺(tái)

　　4、三同軸T型頭

　　5、上位機(jī)軟件與源測(cè)量單元(SMU)的連接方式如下圖所示，可以使用LAN/USB/GPIB中的任何一個(gè)接口進(jìn)行連接。

　　系統(tǒng)連接示意圖：

　　以上就是吉時(shí)利源表在半導(dǎo)體分立器件 I-V特性測(cè)試方案，更多信息歡迎登陸安泰測(cè)試。